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作为研究?开发用途有一定实际业绩，供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。
●制造方法：CZ法●平面方位：100●OF位置：110●电阻值：0.1～100Ω?cm ※低电阻：≦0.02Ω?cm、高电阻：≧500Ω?cm●粒子：2-960-01～08／不论粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10个以下
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产品基本说明：
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作为研究?开发用途有一定实际业绩，供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。 ●制造方法：CZ法●平面方位：100●OF位置：110●电阻值：0.1～100Ω?cm ※低电阻：≦0.02Ω?cm、高电阻：≧500Ω?cm●粒子：2-960-01～08／不论粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10个以下 |
当前型号详情：
日本进口品
※专门订购品：●可进行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工，通过蚀刻进行准确的沟槽形成。●可进行多样化的形状加工和表面处理(例：锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。●可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。
产品介绍：
